Mosfet de potencia canal N de International Rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperación inversa dentro de su estructura. Capaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicaciones.

Caracteristicas:
Voltaje Drain-Source (VDSS): 55 V
Corriente de Drain (ID): 49 A
Encapsulado: TO-220.
Resistencia Drain-Source (RDS on): 17.5 mohms
Baja resistencia térmica.